DDR、DDR2、DDR3產(chǎn)品區(qū)別與不同
DDR采用一個(gè)周期來(lái)回傳遞一次數(shù)據(jù)，因此傳輸在同時(shí)間加倍，因此就像工作在兩倍的工作頻率一樣。為了直觀，以等效的方式命名，因此命名為DDR 200 266 333 400。
DDR2盡管工作頻率沒(méi)有變化，數(shù)據(jù)傳輸位寬由DDR的2bit變?yōu)?bit，那么同時(shí)間傳遞數(shù)據(jù)是DDR的兩倍，因此也用等效頻率命名，分別為DDR2 400 533 667 800。
DDR3內(nèi)存也沒(méi)有增加工作頻率，繼續(xù)提升數(shù)據(jù)傳輸位寬變?yōu)?bit，為DDR2兩倍，因此也在同樣工作頻率下達(dá)到更高帶寬，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600。
所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600內(nèi)存工作頻率沒(méi)有區(qū)別，只是由于傳輸數(shù)據(jù)位寬倍增，導(dǎo)致帶寬的增加。而內(nèi)存的真正工作頻率決定于延遲，DDR400與DDR2 800真實(shí)工作頻率相同，后者帶寬是前者一倍，延遲上一樣。如果是DDR400與DDR2 667，那后者雖然帶寬更大，不過(guò)其真實(shí)頻率反而低一些，延遲上略大。
另外，內(nèi)存在升級(jí)發(fā)展過(guò)程中，其工作電壓一直在降低，因此在性能提升的同時(shí)，功耗也在逐漸變小。三者都不一樣，在內(nèi)存上有一個(gè)小缺口，三種內(nèi)存的小缺口都不在同一位置，因此只能插在對(duì)應(yīng)的插槽上。不能兼容。
DDR3內(nèi)存具有以下優(yōu)點(diǎn)：
1.更高的外部數(shù)據(jù)傳輸率
2.更先進(jìn)的地址/命令與控制總線的拓樸架構(gòu)
3.在保證性能的同時(shí)將能耗進(jìn)一步降低
4.為了滿足上述要求，DDR3在DDR2的基礎(chǔ)上采用了以下新型設(shè)計(jì)：
5.8bit預(yù)取設(shè)計(jì)，DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz
6.采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)
7.采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)功能
后期有什么技術(shù)問(wèn)題需要了解隨時(shí)歡迎您的咨詢。 咨詢電話：15118007442 鄧先生
