三星電子18日宣布，開始量產業界首見的6Gb 20奈米制程LPDDR3移動DRAM。該公司表示，低耗能產品可讓高畫質的大屏幕移動設備，電池續航力更長、運算速度更快。
三星新聞稿稱，6Gb(gigabit)的LPDDR3數據傳輸速度為2,133 Mbps。3GB版的LPDDR3芯片組由4個6Gb LPDDR3芯片組成，適用于各種移動設備。新品比現行的3GB LPDDR3體積縮小20%、耗電量減少10%。目標在高階智能手機、平板計算機、穿戴設備等搶下一席之地。
新品采用三星的新20奈米制程，生產力提升30%。該公司已在3月率先采用20奈米制程生產個人計算機用的4Gb DDR3，如今產品領域拓展至移動DRAM。
韓聯社報導，三星電子8月27日宣布開始量產業界首見的直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via、TSV)封裝的DDR4模塊，速度較前代快上一倍，用電量卻只要一半。星公關主管Kim Ki-hoon表示，TSV技術能直接傳送數據，可大幅提升效率。新推出的DDR4為64GB，供服務器使用，由36個四層芯片組成，每個芯片內含4個4 gigabit DRAM。三星表示，TSV技術還能堆棧更多芯片，模塊容量可大于64GB。
三星稱量產TSV DRAM模塊可讓該公司稱霸高階DDR4 DRAM市場，也能為今年下半推出的次世代中央處理器，提供高效解決方案，該公司將于下半年生產64GB以上的高階DDR4模塊。三星估計，今年全球DRAM市場達386億美元，其中服務器需求約占20%，預估云端運算盛行會帶動高階DRAM需求。
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