四月上旬合約價再度呈現(xiàn)價格上揚的趨勢，DDR3 2GB均價自17美元上漲至18美元(2Gb @@Data.03)，漲幅約5.88%，DDR3 4GB均價亦上漲至35 美元(2Gb @@Data.03)，漲幅約在6.1%。
從市場面來觀察，由于日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起矽晶圓搶料作戰(zhàn)，矽晶圓廠也釋出手上庫存來滿足產(chǎn)業(yè)需求，加上DRAM廠普遍都有一個月以上的庫存量來看 ，目前維持正常投片的能見度可至第二季末。
但長期來看，如果矽晶圓大廠如信越化學及SUMCO不能在近期恢復正常運作，DRAM供應煉受到?jīng)_擊勢必在未來將陸續(xù)浮現(xiàn)，加上近期傳出部份DRAM廠在40nm制 程良率出現(xiàn)問題，供貨不順下更加深PC-OEM廠對于DRAM廠未來是否能供貨穩(wěn)定度增添疑慮，部份PC- OEM廠決定拉高庫存水位，需求轉(zhuǎn)趨積極下，跟DRAM廠議定合約價時亦接受較高的價格，也是讓四月上旬合約價攀升的主要原因。
原物料預期短缺下，震災后DRAM產(chǎn)業(yè)將加速轉(zhuǎn)往高附加價值產(chǎn)品因應
日本東北大地震過后近一個月，原物料短缺問題陸續(xù)浮出枱面，半導體產(chǎn)業(yè)尤其以信越化學及SUMCO的東北工廠遲未復工影響最大，全球矽晶圓產(chǎn)能頓失20-25%，面對原物料可能短缺，DRAM廠勢必暫緩低毛利及低制程產(chǎn)品生產(chǎn)，轉(zhuǎn)向高附加價格產(chǎn)品及加速制程轉(zhuǎn)進速度來 降低未來原物料可能短缺的沖擊。
根據(jù)調(diào)查韓系廠商如三星及海力士由于同時有DRAM及 FLASH兩大產(chǎn)品生產(chǎn)，如三星計劃將部份DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND Flash產(chǎn)品，顯見NAND Flash產(chǎn)品后市比 DRAM產(chǎn)品更為看好，如果面對矽晶圓短缺，將滿足Flash產(chǎn)品為優(yōu)先，而日系廠爾必達也已暫緩廣島廠中標準型DRAM生產(chǎn)，廠內(nèi)僅保留附加價值高的行動式記憶體生產(chǎn)及部份代工業(yè)務(wù)，并將標準型DRAM生 產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)交子公司瑞晶及代工廠力晶，瑞晶方面也將加速38nm及下半年32nm制程轉(zhuǎn)進，即使面對投片 的不確定性，亦能保持產(chǎn)出量不變。
力晶方面也將拉高45nm制程投片與毛利較高的代工業(yè)務(wù)比例，確保獲利能力不受地震影響，而南科與華亞科，算是震災中上下游供應煉較為無虞的廠商，但產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 的改變上仍按照原訂計畫進行，南科在下半年將有行動式記憶體正式量產(chǎn)，華亞科亦希望可以在下半 年加重行動式記憶體及伺服器用記憶體的比例，而茂德方面已經(jīng)在評估DDR3 2Gb生產(chǎn)的可能性，也希 望讓震災后的沖擊減至最小，華邦自去年已將產(chǎn)品重整并轉(zhuǎn)向生產(chǎn)毛利較高的產(chǎn)品，只要矽晶圓供應 無虞下，今年應可維持不錯的表現(xiàn)。
