報導，3D存儲器芯片將是全球半導體市場的新戰場。在開發新一代3D存儲器芯片與推進商品化上，全球前二大NAND存儲器廠－日本東芝與南韓三星電子，彼此之間正展開一場激烈的生死斗。
據報導，東芝計劃在2019財年生產容量高達1TB（terabyte）的NAND芯片，是目前NAND芯片容量的16倍之大。
3D存儲器芯片內部層數越多，存儲器容量就越大。目前東芝與三星均未透露自家開發中的3D存儲器芯片能容納多少層數。產業消息來源透露，去年兩家公司的3D芯片內部層數已達到24層，今年可望進一步開發32層的3D存儲器芯片。
東芝主管表示，目前在這個階段尚無法量產3D存儲器芯片，因為采用尖端技術的傳統型2D存儲器芯片，仍較具生產成本競爭力。不過，一旦3D存儲器芯片內部層數達到48層這個技術門檻，那情勢將完全逆轉，存儲器芯片世代將正式從2D進入3D，而這個改變可能提前到來。
產業專家表示，東芝與三星均計劃在2015年開發出48層的3D芯片，兩家公司現正彼此較勁，希望趕在對方之前推出真正的新一代存儲器芯片。
只要跨過48層的技術門檻，東芝與三星就可能投入3D芯片的量產；而誰能最先達到目標，誰就能搶占在3D芯片市場取得領先優勢的先機。
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