三星電子28日發(fā)布新聞稿宣布，該公司已開始量產(chǎn)業(yè)界首見的高階3D V-NAND，這種存儲(chǔ)器采用32個(gè)垂直堆疊的的平面細(xì)胞層，是該公司第二代V-NAND。
三星的32層3D V-NAND(又稱Vertical NAND)比起前代的24層設(shè)計(jì)需要較為高階的堆疊技術(shù)，但生產(chǎn)效率卻較高、主因該公司能運(yùn)用與第一代相同的V-NAND設(shè)備來進(jìn)行制造。
除此之外，三星最近也剛發(fā)表了運(yùn)用第二代V-NAND架構(gòu)的高階SSD，并有128GB、256GB、512GB以及1TB的存儲(chǔ)容量讓顧客選擇。三星去(2013)年推出資料中心專用的3D V-NAND SSD之后，目前正在將應(yīng)用范圍拓展至高階PC。
與平面的MLC NAND SSD相較，全新3D V-NAND SSD對(duì)資料寫入擁有兩倍耐受度、耗電量更低了20%。
根據(jù)科技市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner的預(yù)估，2017年全球存儲(chǔ)器銷售額有望從755億美元攀升至797億美元，其中NAND在2017年的銷售額更將達(dá)446億美元、市占率超過50%。
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