日本東北大地震造成的電力及矽晶圓供應短缺問題，除使儲存型快閃(NAND Flash)記憶體現(xiàn)貨市場價格急漲，也影響東芝(Toshiba)今年上半年NAND Flash的總產(chǎn)出量，因此成為其他競爭對手趁勢搶單的絕佳時點，尤其對市占率僅些微領(lǐng)先東芝的三星而言，更是進一步拉大差距的大好時機。
三星若藉東芝調(diào)整營運步伐之際趁虛而入，影響將擴及NAND Flash、DRAM與晶圓代工產(chǎn)業(yè)。
日本強震已使東芝原本的布局受到影響，限電、矽晶圓短缺更為其今后的營運增添不少變數(shù)，即便順利于短時間內(nèi)復工，亦仍須經(jīng)過機臺校正與試產(chǎn)等過程，才能確保產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定。這段時間若其他競爭對手趁機坐大，除會動搖NAND Flash記憶體市場版圖外，甚至將間接沖擊臺灣半導體產(chǎn)業(yè)。
目前三星仍是NAND Flash市場龍頭，2010年市占率高達39%，則以35%的微幅差距，暫居第二，第三名的美光(Micron)市占率約11%，與前兩大廠的營收規(guī)模已有顯著落差，而海力士(Hynix)和英特爾Intel)則分別以9%、6%的占率有，名列第四及第五名。
長久以來，三星一直試圖想在NAND Flash市場進一步拉大與其他競爭對手的差距，但受到東芝和美光/英特爾(Intel)兩大勁敵的制衡，遲遲難以如愿。如今，東芝受到日本大地震波及，美光/英特爾與三星無疑變成最直接的受惠者，前者若順利壯大，將使NAND Flash市場三分天下的態(tài)勢更為明顯，而若是三星受益較多，除能一償宿愿，甩開后方追兵外，營收也可大幅增長，為其發(fā)展動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)與邏輯/晶圓代工事業(yè)，提供堅強的資金后盾，長遠觀之，將對臺灣DRAM與晶圓代工產(chǎn)業(yè)發(fā)展造成極大威脅。
根據(jù)東芝22日所公布的最新消息，該公司位于三重縣四日市，與新帝(SanDisk)合資的兩座12寸NAND Flash晶圓制造廠Fab 3和Fab 4，已開始復工，并如常運作，但整個供應鏈的問題仍令人擔憂，包括零件和材料采購以及物流在內(nèi)。事實上，四日市的工廠由于距離震央約500英哩，故廠房設備并未嚴重受損。
