三星電子(Samsung Electronics)打造號(hào)稱全球最大的存儲(chǔ)器晶圓廠，并開始量產(chǎn)20納米世代的DDR 3 DRAM存儲(chǔ)器，華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)稱此舉將不利于臺(tái)廠。
三星Line-16存儲(chǔ)器晶圓廠耗資約102億美元，22日起正式運(yùn)行，初期會(huì)生產(chǎn)20納米世代制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片，2012年則會(huì)轉(zhuǎn)入10納米世代的制程。
三星在新聞稿中表示，
SD卡 Line-16是產(chǎn)業(yè)最新也是全球最大的存儲(chǔ)器晶圓廠，位于韓國京畿道華城市，廠房樓高12層，總面積約19.8萬平方公尺，目前產(chǎn)能預(yù)計(jì)每月產(chǎn)出1萬片12寸晶圓。
華爾街日?qǐng)?bào)的報(bào)導(dǎo)指出，以目前臺(tái)灣或日本較小的對(duì)手廠商都因市況不佳而減產(chǎn)的情況下，三星此時(shí)擴(kuò)大產(chǎn)能的動(dòng)作凸顯其市場優(yōu)勢。三星董事長李健熙表示，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到景氣循環(huán)的劇烈影響，因此必須強(qiáng)化自身技術(shù)能力與專業(yè)，以便在競爭激烈的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)維持領(lǐng)先地位。
根據(jù)研究機(jī)構(gòu)IHS iSuppli的資料，
SD卡工廠 三星在第2季占了全球DRAM Flash市場的41.6%，同期NAND Flash占有率則為41.6%，比東芝(Toshiba)的28.7%還高。
芯片業(yè)者要縮小芯片制程技術(shù)是因?yàn)榭梢越档统杀荆酒系木w管元件與彼此之間的距離是用納米來計(jì)算，體積愈小、排列越密集，芯片就越強(qiáng)大。
華爾街日?qǐng)?bào)引用韓國Kiwoom證券分析師Lee Jae-Yun的說法指出，三星的最新技術(shù)將拉大與臺(tái)灣對(duì)手之間的距離，甚至迫使其在2012年初退出市場。
SD卡 NAND Flash需求相當(dāng)健康，這是因?yàn)橹悄苄褪謾C(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)銷售不斷成長的關(guān)系，而部分廠商減產(chǎn)反而導(dǎo)致供應(yīng)量減少。
而根據(jù)英國網(wǎng)站ZDNET UK的報(bào)導(dǎo)，20納米世代制程意味著制程從20納米到29納米都有可能，但三星并沒有精確指出所使用的尺寸。英特爾(與美光合作)曾表示三星制程應(yīng)該是接近27納米。
存儲(chǔ)器暨儲(chǔ)存研究機(jī)構(gòu)Web-Feet Research執(zhí)行長Alan Niebel指出，這種20納米「世代」的宣布對(duì)三星而言并不好看，因?yàn)橄噍^于美光(Micron)/英特爾，或東芝(Toshiba)/新帝(SanDisk)，三星顯然沒跟上自己的制程技術(shù)。三星在DRAM制程技術(shù)上領(lǐng)先，但宣布的跟實(shí)際商用產(chǎn)出的不見得一樣。
英特爾與美光合資的IM Flash在2011年4月宣布開發(fā)出20納米世代制程，比三星晚了1年，其20納米世代晶圓廠造價(jià)28億美元，不過初期采25納米世代制程進(jìn)行生產(chǎn)。
三星已經(jīng)是目前全球最大的存儲(chǔ)器廠商，Line-16的產(chǎn)能加入后，將讓該公司拿下更多市場，而產(chǎn)能增加通常也意味著價(jià)格將出現(xiàn)下滑。
