閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory）是一類非易失性存儲(chǔ)器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息；而諸如DRAM、SRAM這類易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)供電電源關(guān)閉時(shí)片內(nèi)信息隨即丟失。 Flash Memory集其它類非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)：與EPROM相比較，閃速存儲(chǔ)器具有明顯的優(yōu)勢(shì)——在系統(tǒng)電可擦除和可重復(fù)編程，而不需要特殊的高電壓（某些第一代閃速存儲(chǔ)器也要求高電壓來完成擦除和/或編程操作）；與EEPROM相比較，閃速存儲(chǔ)器具有成本低、密度大的特點(diǎn)。
DINOR(Divided bit-line NOR)技術(shù)是Mitsubishi與Hitachi公司發(fā)展的專利技術(shù)，從一定程度上改善了NOR技術(shù)在寫性能上的不足。DINOR技術(shù)Flash Memory和NOR技術(shù)一樣具有快速隨機(jī)讀取的功能，按字節(jié)隨機(jī)編程的速度略低于NOR，而塊擦除速度快于NOR。這是因?yàn)镹OR技術(shù)Flash Memory編程時(shí)，存儲(chǔ)單元內(nèi)部電荷向晶體管陣列的浮柵極移動(dòng)，電荷聚集，從而使電位從1變?yōu)?；擦除時(shí)，將浮柵極上聚集的電荷移開，使電位從0變?yōu)?。而DINOR技術(shù)Flash Memory在編程和擦除操作時(shí)電荷移動(dòng)方向與前者相反。DINOR技術(shù)Flash Memory在執(zhí)行擦除操作時(shí)無須對(duì)頁進(jìn)行預(yù)編程，且編程操作所需電壓低于擦除操作所需電壓，這與NOR技術(shù)相反。
Mitsubishi公司推出的DINOR技術(shù)器件——M5M29GB/T320，采用Mitsubishi和Hitachi的專利BGO技術(shù)，將閃速存儲(chǔ)器分為四個(gè)存儲(chǔ)區(qū)，在向其中任何一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行編程或擦除操作的同時(shí)，可以對(duì)其它三個(gè)存儲(chǔ)區(qū)中的一個(gè)進(jìn)行讀操作，用硬件方式實(shí)現(xiàn)了在讀操作的同時(shí)進(jìn)行編程和擦除操作，而無須外接EEPROM。由于有多條存取通道，因而提高了系統(tǒng)速度。該芯片采用0.25μm制造工藝，不僅快速讀取速度達(dá)到80ns，而且擁有先進(jìn)的省電性能。在待機(jī)和自動(dòng)省電模式下僅有0.33μW功耗，當(dāng)任何地址線或片使能信號(hào)200ns保持不變時(shí)，即進(jìn)入自動(dòng)省電模式。對(duì)于功耗有嚴(yán)格限制和有快速讀取要求的應(yīng)用，如數(shù)字蜂窩電話、汽車導(dǎo)航和全球定位系統(tǒng)、掌上電腦和頂置盒、便攜式電腦、個(gè)人數(shù)字助理、無線通信等領(lǐng)域中可以一展身手。
