三星內存卡模塊邁量產階段

三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)31日指出，該公司領先同業展開32 GB內存模塊的量產工作，此產品采用30奈米制程的4 Gb DDR 3 DRAM，為云端運算與高階服務器系統所不可或缺的零組件。三星同時預估，2012年4Gb密度以上(含)DRAM產量將占整體DRAM的10%以上。

三星電子內存銷售/營銷部執行副總Wanhoon Hong表示，此內存模塊量產使該公司在個人計算機(PC)用DRAM市場上的產品與解決方案競爭力方面皆領先群雄。該公司擬于今年下半年推出更省電、以20奈米制程生產的4 Gb DDR3 DRAM，此產品將令快速茁壯的環保IT內存解決方案版圖更形擴大。三星30奈米4Gb DDR3芯片生產量約較40奈米者提升50%。

預估，2012年4Gb DRAM出貨量預估將占整體DRAM的10%上下，之后兩年市占率分別擴大至35%與57%

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2011-06-01 11:29:36