據(jù)報(bào)導(dǎo)，IBM超高密度賽道內(nèi)存(Racetrack Memory)開(kāi)發(fā)已有新的進(jìn)展，爾后新款內(nèi)存可同時(shí)保有硬盤超高容量，與閃存的微型、高速、耐用特性，原型產(chǎn)品預(yù)估可望于2年后亮相。
據(jù)報(bào)導(dǎo)，賽道內(nèi)存存儲(chǔ)技術(shù)首見(jiàn)于2004年，當(dāng)時(shí)由IBM旗下的Almaden Research Center研究人員Stuart Parkin所提出。現(xiàn)Parkin所領(lǐng)導(dǎo)的開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，已確定在電流影響下，賽道內(nèi)存位的移動(dòng)方式，將可確保記錄數(shù)據(jù)時(shí)，不會(huì)覆寫(xiě)到先前存儲(chǔ)的信息。
賽道內(nèi)存中信息位代表著域壁(Domain Walls)，域壁為延奈米線分布的微小磁化區(qū)域，在電流影響下，位會(huì)轉(zhuǎn)換成0與1。然與當(dāng)前存儲(chǔ)技術(shù)不同的是，奈米線若為垂直嵌入芯片中，賽道內(nèi)存便可以3維存儲(chǔ)位，再透過(guò)磁化讀取。
Parkin指出，對(duì)于電流影響下的域壁移動(dòng)方式，學(xué)者各持不同看法，域壁的移動(dòng)方式是否有如帶有質(zhì)量的粒子，需費(fèi)時(shí)加、減移動(dòng)速度，過(guò)去一直沒(méi)有統(tǒng)一定論。現(xiàn)在Parkin發(fā)現(xiàn)，域壁需10奈秒與1微米(μm)的加速距離，方能達(dá)到每秒140公尺的最高速度，于電流中斷后，域壁亦需10奈秒與1微米(μm)的減速距離，方能達(dá)到為全靜止。換言之，域壁移動(dòng)方式確如帶有質(zhì)量的粒子。Parkin預(yù)計(jì)，約于2年后便可看到制作出賽道內(nèi)存原型。
了解域壁的移動(dòng)方式后，方能透過(guò)電流控制內(nèi)存位，史丹福大學(xué)(Stanford University)材料科學(xué)與工程暨電子工程教授Shan Wang解釋，了解賽道內(nèi)存域壁頻率，方能避免在錯(cuò)誤的區(qū)域?qū)懭胄畔ⅲ辉撗芯堪l(fā)現(xiàn)，離實(shí)際內(nèi)存裝置尚有一段距離。美國(guó)Lawrence Berkeley國(guó)家實(shí)驗(yàn)室學(xué)者Peter Fischer則指出，開(kāi)發(fā)人員仍需對(duì)賽道內(nèi)存的耐用程度，提出更詳細(xì)的說(shuō)明。
