據報導，IBM超高密度賽道內存(Racetrack Memory)開發已有新的進展，爾后新款內存可同時保有硬盤超高容量，與閃存的微型、高速、耐用特性，原型產品預估可望于2年后亮相。
據報導，賽道內存存儲技術首見于2004年，當時由IBM旗下的Almaden Research Center研究人員Stuart Parkin所提出。現Parkin所領導的開發團隊，已確定在電流影響下，賽道內存位的移動方式，將可確保記錄數據時，不會覆寫到先前存儲的信息。
賽道內存中信息位代表著域壁(Domain Walls)，域壁為延奈米線分布的微小磁化區域，在電流影響下，位會轉換成0與1。然與當前存儲技術不同的是，奈米線若為垂直嵌入芯片中，賽道內存便可以3維存儲位，再透過磁化讀取。
Parkin指出，對于電流影響下的域壁移動方式，學者各持不同看法，域壁的移動方式是否有如帶有質量的粒子，需費時加、減移動速度，過去一直沒有統一定論。現在Parkin發現，域壁需10奈秒與1微米(μm)的加速距離，方能達到每秒140公尺的最高速度，于電流中斷后，域壁亦需10奈秒與1微米(μm)的減速距離，方能達到為全靜止。換言之，域壁移動方式確如帶有質量的粒子。Parkin預計，約于2年后便可看到制作出賽道內存原型。
了解域壁的移動方式后，方能透過電流控制內存位，史丹福大學(Stanford University)材料科學與工程暨電子工程教授Shan Wang解釋，了解賽道內存域壁頻率，方能避免在錯誤的區域寫入信息，然該研究發現，離實際內存裝置尚有一段距離。美國Lawrence Berkeley國家實驗室學者Peter Fischer則指出，開發人員仍需對賽道內存的耐用程度，提出更詳細的說明。
