SD卡工廠觀望：NAND Flash廠拼制程,但是否量產是關鍵
全球4大NAND Flash陣營除了持續擴產外，同步都在制程技術上下猛藥，除了既有的24、25、26、27奈米制程，下半年都預計轉進19、20和21奈米制程技術，強化其成本競爭力；不過業界指出，不管是19、20和21奈米制程，技術層次相同，只是端出的數字不同，是否真能步入量產才是重點，但現在OEM系統廠對新制程的認證時間都拉長一倍，顯見制程與質量間未必成正比。
2011年NAND Flash市場和DRAM產業一樣，都是合約市場熱、現貨市場冷，原因之一是終端應用兩極化，現貨市場最大宗應用是快閃記憶卡和隨身碟產品，2011年已逐步邁入飽和，成長性極度缺乏，相對的，合約市場應用集中在平板計算機(Tablet PC)和智能型手機(Smartphone)上，卻是2011年最受注目的產品。
另一原因是NAND Flash大廠制程技術不斷演進，但芯片質量卻不斷打折扣，導致系統大廠如蘋果(Apple)等，認證時間增加一倍，例如以前在30奈米世代，大廠認證時間要3~6個月，但到了26奈米或27奈米世代，認證時間拉長至6~9個月，同時也傳出三星電子(Samsung Electronics)的27奈米和東芝(Toshiba) 24奈米，都還沒通過蘋果iPad和iPhone認證。
內存業者表示，以目前4大陣營的制程進度來看，雖然第1階段20奈米制程競賽是以美光(Micorn)和英特爾(Intel)搶頭香，領先量產25奈米，之后三星27奈米制程、東芝24奈米制程、海力士(Hynix) 26奈米制程陸續問世，進入下半年后，NAND Flash大廠則是轉進第2階段的20奈米競賽。
其中三星從27奈米轉進21奈米制程，美光／英特爾陣營和海力士則是轉進20奈米制程，東芝更是不甘示弱，宣布下世代制程將是全球體積最小的19奈米制程，打破業界認為NAND Flash技術到20奈米以下就走不下去的說法。
不過業者表示，制程技術微縮越來越困難，所以NAND Flash廠都喜歡在數字上做文章，不論是19、20或是21奈米制程，技術都是同一層次，要真正進入量產階段才算數，且屆時良率也是關鍵，否則制程的數字定義其實沒有太多實質意義。
