存儲卡工廠三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)雙雙投入極紫外光(EUV)技術的DRAM制程研發，欲在存儲器市場取得更大領先。日前三星電子宣布已完成技術研發，即將進入EUV商用化階段，引起業界關注后續發展。
據韓媒Business Post報導，存儲卡工廠三星電子日前表示即將在7納米系統半導體代工生產啟用EUV技術，后續也會將EUV技術延伸到DRAM生產。三星是目前唯一成功在系統半導體導入EUV制程的業者，將EUV技術用在DRAM領域將指日可待。
三星電子表示，準備從10納米中段(1y)DRAM開始采用EUV技術，逐漸擴大到10納米以下制程，提高超高速、超大容量DRAM產品的技術競爭力。
SK海力士最近發表利川新存儲卡工廠興建計畫，也松口會提高投資規模，采用最新EUV技術進行生產。韓國業界表示，SK海力士持續進行EUV技術研發，待工廠完工時應可順利與新技術接軌。
以EUV技術生產DRAM在存儲器市場將相當具有競爭力，因為產品不但能提高性能與電力效率，芯片體積也可縮小，使每片晶圓可生產的芯片數量增加，有效節省生產成本。DRAM價格易受市場景氣影響波動，對業者而言，降低生產成本至關重要。
目前為止DRAM業者的技術水平差距不大，產品性能也未存在太大差異，使業者之間只能不斷進行激烈的價格競爭。但若存儲卡工廠三星電子與SK海力士采用EUV技術生產DRAM，所提高的產品水平將更易于滿足客戶需求。
尤其人工智能(AI)服務器與自駕車等新興科技領域對DRAM的質量要求提高，訂單恐會涌向生產技術領先的DRAM業者。相較于美光(Micron)對采用EUV技術態度較為消極，三星電子與SK海力士積極以新技術欲維持領先。
存儲卡工廠三星電子表示，在半導體生產采用EUV技術之后，將可讓5G、AI、物聯網(IoT)等領域的技術發展速度加快，后續將會擴大EUV技術應用，提供客戶更完善的產品服務。
韓國分析師預測，2019年起半導體業者將調整策略，減少DRAM方面的投資，有助市場景氣維持良好。亦即包括存儲卡工廠三星電子、SK海力士在內的DRAM業者會放慢DRAM投資腳步。
