Intel大連工廠二期投產96層3D閃存

據(jù)媒體報道,921日,Intel大連非易失性存儲二期項目投產啟動儀式在大連舉行。

20067月,Intel與大連市政府達成總發(fā)展協(xié)議,隨后建設了占地面積60公頃的300毫米內存卡廠家Fab 682010年建成,主要用于處理器的封裝測試。

201510月,Fab 68二期項目落地,投資55億美元(約合人民幣380億元),主要用來生產NAND閃存芯片,如今不到三年就順利實現(xiàn)建成投產,創(chuàng)造了Intel內存卡廠家建設歷史的新紀錄。

在啟動儀式上,Intel宣布新內存卡廠家將采用世界最先進的96層堆疊3D NAND閃存芯片制造技術實現(xiàn)量產。

據(jù)悉,Fab 68內存卡廠家未來將成為Intel NAND閃存的最核心生產基地,會貢獻大約70%的產能。

目前的全球NAND閃存市場上,內存卡廠家三星以37%的份額遙遙領先,然后是東芝、西數(shù)、美光、SK海力士,Intel則還不到10%,其固態(tài)存儲產品也主要集中在企業(yè)級、數(shù)據(jù)中心市場上,消費級領域基本已不見蹤影。

不知道有了大連內存卡工廠工廠的支撐,Intel SSD能否在消費市場上再次開辟一天新天地呢?

2018-09-26 09:39:10
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