三星電子領(lǐng)先全球同業(yè)、于2014年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND Flash 產(chǎn)品，不過三星競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)也拼了，除3D Flash專用廠房于2015年啟用之外，還傳出將砸4000億日?qǐng)A倍增3D Flash產(chǎn)能。
TF卡封裝大廠報(bào)導(dǎo)，東芝計(jì)劃攜手SanDisk在日本三重縣四日市興建一座NAND Flash新工廠，最快將在2017年度啟用量產(chǎn)，目標(biāo)為藉此將采用3D架構(gòu)的NAND Flash產(chǎn)能提高至現(xiàn)行2倍水平。據(jù)報(bào)導(dǎo)，上述NAND Flash新廠將坐落在現(xiàn)行四日市工廠附近，預(yù)計(jì)將在2016年度動(dòng)工興建，投資額將超過4,000億日?qǐng)A，設(shè)備投資費(fèi)用將由東芝和SanDisk均攤。
TF卡協(xié)會(huì)指出，3D Flash需求看俏，東芝位于四日市工廠內(nèi)的3D Flash專用廠房甫于2015年啟用，而東芝計(jì)劃藉由興建上述新工廠，來確保有充足的3D Flash產(chǎn)能、以因應(yīng)市場(chǎng)需求。據(jù)報(bào)導(dǎo)，3D Flash設(shè)備投資競(jìng)爭(zhēng)激烈，南韓三星電子已利用中國(guó)西安工廠量產(chǎn)3D Flash，美國(guó)美光(Micron)、南韓SK Hynix也已導(dǎo)入生產(chǎn)。
東芝去年10月21日宣布，于2014年9月動(dòng)工進(jìn)行改建的NAND Flash生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)“四日市工廠”第2廠房(以下稱新第2廠房)部分工程已完工，且東芝已和SanDisk簽訂正式契約，將攜手對(duì)新第2廠房進(jìn)行設(shè)備投資。
東芝指出，上述新第2廠房將在2015年度第4季(2016年1-3月)開始進(jìn)行生產(chǎn)，且期望藉由該廠房建構(gòu)3D NAND Flash的生產(chǎn)體制，藉此加快2D NAND Flash產(chǎn)品轉(zhuǎn)換至3D NAND Flash的速度。東芝表示，該新第2廠房所有改建工程預(yù)計(jì)將在2016年上半年內(nèi)完工，而其具體產(chǎn)能、生產(chǎn)計(jì)劃等細(xì)節(jié)將待評(píng)估市場(chǎng)動(dòng)向后再行決定。
三星于2014年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆棧32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆棧48層。東芝和SanDisk去年8月3日宣布開發(fā)出48層的3D NAND Flash。BGR報(bào)導(dǎo)，東芝和SanDisk采用15奈米制程，打造出新3D NAND Flash，據(jù)稱速度為業(yè)界之冠，并更具能源效益。盡管東芝新聞稿未提及可能客戶，BGR稱，假定蘋果(Apple)沿用舊有供應(yīng)商，這么一來新的3D NAND Flash或許將用于iPhone 7。
2016-01-12 08:34:46
