SD卡廠家 3D NAND技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀

隨著NAND Flash納米制程技術(shù)不斷向下微縮，技術(shù)瓶頸越發(fā)凸顯，3D NAND Flash技術(shù)經(jīng)過(guò)幾年時(shí)間的沉淀，上游芯片廠三星、東芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技術(shù)規(guī)劃的時(shí)程表。

3D NAND技術(shù)與現(xiàn)有的2D NAND（納米制程技術(shù)）截然不同，2D NAND是平面結(jié)構(gòu)而3D V-NAND是立體結(jié)構(gòu)，3D結(jié)構(gòu)是以垂直半導(dǎo)體通道的方式排列，多層環(huán)繞式柵極(GAA)結(jié)構(gòu)形成多電柵級(jí)存儲(chǔ)器單元晶體管，可以有效的降低堆棧間的干擾。3D技術(shù)不僅使產(chǎn)品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。

三星已在2013年8月首次批量生產(chǎn)3D V-NAND產(chǎn)品，制程35nm，可以堆疊24層，容量可達(dá)128Gb V-NAND，到2015年24nm 3D 36層容量將達(dá)到1Tb。東芝/閃迪計(jì)劃采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技術(shù)生產(chǎn)3D NAND Flash產(chǎn)品，于2015下半年量產(chǎn)；美光3D NAND Flash產(chǎn)品預(yù)計(jì)2014年第二季度送樣，量產(chǎn)時(shí)間待定；SK海力士則使用微調(diào)VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技術(shù)生產(chǎn)3D NAND Flash，也于2015年邁入量產(chǎn)階段。

雖然各芯片廠都已列出了3D技術(shù)的量產(chǎn)時(shí)程表，但目前除了三星已開(kāi)始量產(chǎn)外，其他芯片廠均在2015年量產(chǎn)，未來(lái)1年多的時(shí)間將依然以2D NAND技術(shù)生產(chǎn)為主，直到1znm的工藝。